特許

J-GLOBAL ID：201803010445766080

双極性電圧書き込み型磁気メモリ素子

発明者： 今村 裕志 ,  湯浅 新治 ,  野崎 隆行
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-141940
公開番号（公開出願番号）：特開2018-014376
出願日： 2016年07月20日
公開日（公表日）： 2018年01月25日
要約：

【課題】消費電力及び書き込みエラー率(WER)を低減することができる双極性電圧書き込み型磁気メモリ素子を提供する。【解決手段】双極性電圧書き込み型磁気メモリ素子は、磁気トンネル接合18を含み、その接合断面形状11が、鏡面対称性及び回転対称性がない形状(例えば、不等辺三角形)、あるいは特定の1軸に対してのみ鏡面対称性を有する形状(例えば、二等辺三角形)である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

鏡面対称性及び回転対称性のない接合断面形状を持つ磁気トンネル接合を含む磁気メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z

Fターム (25件)：

4M119AA01 ,  4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD22 ,  4M119KK10 ,  5F092AA04 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB71 ,  5F092BC03 ,  5F092BC42 ,  5F092GA03