特許

J-GLOBAL ID：201803010462091550

Ga2O3系半導体素子

発明者： 東脇 正高 ,  中田 義昭 ,  上村 崇史 ,  ワン マンホイ ,  佐々木 公平 ,  脇本 大樹
出願人/特許権者： 国立研究開発法人情報通信研究機構 ,  株式会社タムラ製作所 ,  株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-088866
公開番号（公開出願番号）：特開2018-186246
出願日： 2017年04月27日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
要約：

【課題】新規なアクセプター不純物が添加されたGa2O3系結晶層を有するGa2O3系半導体素子を提供する。【解決手段】Ga2O3系半導体素子(ショットキーバリアダイオード1a)は、非意図的に添加されたドナーを含む第2のGa2O3系結晶層11と、第2のGa2O3系結晶層11の全体に形成されたN添加領域と、を有する。ドナーは、Ga2O3系結晶層に非意図的に添加されたものであり、N添加領域が、ドナーの濃度以下の濃度のNを含む。Nを添加することで、非意図的に添加されたドナーを補償してn型になることを防止する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドナーを含むGa2O3系結晶層と、 前記Ga2O3系結晶層の少なくとも一部に形成されたN添加領域と、 を有する、 Ga2O3系半導体素子。

IPC (12件)：

H01L 29/24 ,  C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (14件)：

H01L29/24 ,  C30B29/16 ,  C30B23/08 M ,  H01L29/48 M ,  H01L29/48 D ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301M ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/80 B

Fターム (33件)：

4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DA05 ,  4G077HA12 ,  4M104AA03 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL01 ,  5F102GL08 ,  5F102GR01 ,  5F102GR07 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01 ,  5F102HC07 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AC02 ,  5F140BA00 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BC12 ,  5F140BD05 ,  5F140BF05 ,  5F140BF15 ,  5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• Ga2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法、並びに、結晶積層構造体及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-160092   出願人：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構
• 窒化ガリウム系半導体電子デバイス、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板を作製する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-314652   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-129307   出願人：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構

引用文献：

審査官引用 (1件)

• First-principles study on electronic structure and optical properties of N-doped P-type β-Ga2O3