特許
J-GLOBAL ID：201803010462091550

Ga2O3系半導体素子

発明者：
東脇 正高

東脇 正高 について

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中田 義昭

中田 義昭 について

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上村 崇史

上村 崇史 について

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ワン マンホイ

ワン マンホイ について

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佐々木 公平

佐々木 公平 について

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脇本 大樹

脇本 大樹 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人情報通信研究機構

国立研究開発法人情報通信研究機構 について

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株式会社タムラ製作所

株式会社タムラ製作所 について

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株式会社ノベルクリスタルテクノロジー

株式会社ノベルクリスタルテクノロジー について


代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-088866
公開番号（公開出願番号）：特開2018-186246
出願日： 2017年04月27日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
要約：
【課題】新規なアクセプター不純物が添加されたGa2O3系結晶層を有するGa2O3系半導体素子を提供する。【解決手段】Ga2O3系半導体素子(ショットキーバリアダイオード1a)は、非意図的に添加されたドナーを含む第2のGa2O3系結晶層11と、第2のGa2O3系結晶層11の全体に形成されたN添加領域と、を有する。ドナーは、Ga2O3系結晶層に非意図的に添加されたものであり、N添加領域が、ドナーの濃度以下の濃度のNを含む。Nを添加することで、非意図的に添加されたドナーを補償してn型になることを防止する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ドナーを含むGa2O3系結晶層と、 前記Ga2O3系結晶層の少なくとも一部に形成されたN添加領域と、 を有する、 Ga2O3系半導体素子。
IPC (12件)：
H01L 29/24 ,  C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (14件)：
H01L29/24 ,  C30B29/16 ,  C30B23/08 M ,  H01L29/48 M ,  H01L29/48 D ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301M ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/80 B
Fターム (33件)：
4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DA05 ,  4G077HA12 ,  4M104AA03 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL01 ,  5F102GL08 ,  5F102GR01 ,  5F102GR07 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01 ,  5F102HC07 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AC02 ,  5F140BA00 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BC12 ,  5F140BD05 ,  5F140BF05 ,  5F140BF15 ,  5F140BK13
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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