特許
J-GLOBAL ID：201803010487568334

マルチフェロイック材料及びそれを用いたメモリ

発明者：
西原 禎文

西原 禎文 について

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丸山 莉央

丸山 莉央 について

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加藤 智佐都

加藤 智佐都 について

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井上 克也

井上 克也 について


出願人/特許権者：
国立大学法人広島大学

国立大学法人広島大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人前田特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-165693
公開番号（公開出願番号）：特開2018-032813
出願日： 2016年08月26日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
要約：
【課題】分子メモリとして使用することができるような特性を有する単分子マルチフェロイック物質を実現できるようにする。【解決手段】単分子マルチフェロイック物質は、連通孔111を有し、連通孔111内の一方の開放端側と他方の開放端側とのそれぞれに包接部113を有するクラスター骨格101と、包接部113の一方に包接されたジスプロシウムイオン102とを備え、単一分子で誘電ヒステリシス及び磁気ヒステリシスを示す。【選択図】図1B
請求項（抜粋）：
連通孔を有し、前記連通孔内の一方の開放端側と他方の開放端側とのそれぞれに包接部を有するクラスター骨格と、前記包接部の一方に包接されたジスプロシウムイオンとを備え、単一分子で誘電ヒステリシス及び磁気ヒステリシスを示す、マルチフェロイック材料。
IPC (4件)：
H01L 29/82 ,  G11B 5/64 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (4件)：
H01L29/82 Z ,  G11B5/64 ,  H01L27/10 447 ,  H01L27/10 444C
Fターム (18件)：
4M119BB20 ,  4M119CC01 ,  4M119CC09 ,  4M119DD22 ,  4M119DD25 ,  5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5F083FR00 ,  5F083JA12 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA21 ,  5F092AB06 ,  5F092AC30 ,  5F092AD24 ,  5F092BD05 ,  5F092BD14 ,  5F092BD19 ,  5F092BD20
引用特許：
出願人引用 (3件)

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