特許

J-GLOBAL ID：201803010520607855

シミュレーション方法及びシミュレーション装置

発明者： 松本 哲也 ,  前田 謙一 ,  近藤 隆文 ,  大沼 孟光
出願人/特許権者： 日立化成株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  平野 裕之 ,  寺澤 正太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-140673
公開番号（公開出願番号）：特開2018-009939
出願日： 2016年07月15日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
要約：

【課題】劣化したときの蓄電デバイスの特性を精度よく推定することができるシミュレーション方法及びシミュレーション装置を提供する。【解決手段】このシミュレーション方法は、蓄電デバイスの等価回路モデルを用いてシミュレーションを行う方法であって、等価回路モデルを流れる電流I(t)に基づいて等価回路モデルの端子電圧V(t)を計算するステップを含む。等価回路モデルは、複数の特性パラメータを含む。少なくとも一つの特性パラメータは、蓄電デバイスの劣化の影響を表す時間関数を含む。その時間関数は、放電深度と、放電深度に乗算された劣化速度を表す係数とを含む項を有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

蓄電デバイスの等価回路モデルを用いてシミュレーションを行う方法であって、 前記等価回路モデルを流れる電流に基づいて前記等価回路モデルの端子電圧を計算するステップを含み、 前記等価回路モデルが複数の特性パラメータを含んでおり、 少なくとも一つの前記特性パラメータが、前記蓄電デバイスの劣化の影響を表す時間関数を含んでおり、 前記時間関数が、放電深度と、前記放電深度に乗算された劣化速度を表す係数とを含む項を有する、シミュレーション方法。

IPC (4件)：

G01R 31/36 ,  H01M 10/48 ,  H01M 10/42 ,  H02J 7/00

FI (5件)：

G01R31/36 A ,  H01M10/48 P ,  H01M10/42 P ,  H02J7/00 Y ,  H02J7/00 M

Fターム (42件)：

2G216AB01 ,  2G216BA02 ,  2G216BA23 ,  2G216BA27 ,  2G216BA30 ,  2G216BA34 ,  2G216BA35 ,  2G216BA44 ,  2G216BA45 ,  2G216BA54 ,  2G216BA57 ,  2G216BA59 ,  2G216CB12 ,  2G216CB13 ,  2G216CB51 ,  5G503AA01 ,  5G503AA07 ,  5G503BA01 ,  5G503BB01 ,  5G503CA05 ,  5G503CA08 ,  5G503CA11 ,  5G503CB11 ,  5G503EA05 ,  5G503EA08 ,  5G503FA06 ,  5G503GD06 ,  5H030AA01 ,  5H030AA10 ,  5H030AS06 ,  5H030AS08 ,  5H030FF22 ,  5H030FF42 ,  5H030FF52 ,  5H125AA01 ,  5H125AC08 ,  5H125AC12 ,  5H125BC09 ,  5H125EE22 ,  5H125EE23 ,  5H125EE25 ,  5H125EE29