特許

J-GLOBAL ID：201803010554369317

MgB2超電導薄膜線材およびその製造方法

発明者： 岩中 拓夢 ,  小瀧 博司 ,  楠 敏明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-093226
公開番号（公開出願番号）：特開2018-190631
出願日： 2017年05月09日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：

【課題】従来のMgB2超電導薄膜線材と同等以上の超電導特性を確保しながら、従来よりも低コスト化が可能なMgB2超電導薄膜線材、および該超電導薄膜線材の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るMgB2超電導薄膜線材は、長尺金属基材上にMgB2薄膜が形成された超電導線材であって、前記MgB2薄膜は、30 K以上の臨界温度を示し、かつ前記長尺金属基材の表面に対してMgB2柱状結晶粒が林立・密集し、前記MgB2柱状結晶粒の粒界領域で該MgB2柱状結晶粒を取り囲むようにMg酸化物の層が形成されている微細組織を有することを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

長尺金属基材上にMgB2薄膜が形成された超電導線材であって、 前記MgB2薄膜は、30 K以上の臨界温度を示し、かつ前記長尺金属基材の表面に対してMgB2柱状結晶粒が林立・密集し、前記MgB2柱状結晶粒の粒界領域で該MgB2柱状結晶粒を取り囲むようにMg酸化物の層が形成されている微細組織を有することを特徴とするMgB2超電導薄膜線材。

IPC (6件)：

H01B 12/06 ,  H01B 13/00 ,  C01G 1/00 ,  C01B 35/04 ,  H01F 6/06 ,  H01L 39/24

FI (7件)：

H01B12/06 ,  H01B13/00 565Z ,  C01G1/00 S ,  C01B35/04 C ,  H01F6/06 150 ,  H01F6/06 140 ,  H01L39/24 D

Fターム (19件)：

4G047JA03 ,  4G047JB01 ,  4G047JB02 ,  4G047JC16 ,  4G047KE01 ,  4G047KG01 ,  4G047LA06 ,  4G047LB03 ,  4M113BA12 ,  4M113CA16 ,  4M113CA43 ,  5G321AA98 ,  5G321BA03 ,  5G321CA04 ,  5G321CA07 ,  5G321CA21 ,  5G321CA27 ,  5G321CA38 ,  5G321DD99