特許

J-GLOBAL ID：201803010558397889

撮像素子および電子カメラ

発明者： 釜下 敦 ,  駒井 敦 ,  高木 徹 ,  石田 知久
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (2件)： 永井 冬紀 ,  白石 直正
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016078522
公開番号（公開出願番号）：WO2017-057397
出願日： 2016年09月27日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

撮像素子は、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部により光電変換された電荷が転送されて蓄積される蓄積部と、前記光電変換部により生成された電荷を前記蓄積部に転送する転送部とを有する複数の画素が設けられた第1半導体層と、前記電荷を前記光電変換部から前記蓄積部に転送するための転送信号を前記転送部に供給する供給部が前記複数の画素ごとに設けられた第2半導体層と、前記蓄積部に転送された前記電荷に基づいた信号が入力される第3半導体層と、を備える。

請求項（抜粋）：

入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部により光電変換された電荷が転送されて蓄積される蓄積部と、前記光電変換部により生成された電荷を前記蓄積部に転送する転送部とを有する複数の画素が設けられた第1半導体層と、 前記電荷を前記光電変換部から前記蓄積部に転送するための転送信号を前記転送部に供給する供給部が前記複数の画素ごとに設けられた第2半導体層と、 前記蓄積部に転送された前記電荷に基づいた信号が入力される第3半導体層と、 を備える撮像素子。

IPC (3件)：

H04N 5/374 ,  H04N 5/369 ,  H01L 27/146

FI (3件)：

H04N5/374 ,  H04N5/369 ,  H01L27/146 F

Fターム (25件)：

4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA04 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA21 ,  4M118HA31 ,  5C024CY47 ,  5C024EX03 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GX24 ,  5C024JX45