特許
J-GLOBAL ID：201803010691809740
抵抗変化素子とその製造方法および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
机 昌彦
, 下坂 直樹
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016004240
公開番号（公開出願番号）：WO2017-051527
出願日： 2016年09月16日
公開日（公表日）： 2017年03月30日
要約：
本発明は、プログラム電圧を低減しつつプログラム電圧および高抵抗状態のリーク電流のバラツキを低減した、金属析出型の抵抗変化素子を製造できるようにすることを目的とする。本発明の抵抗変化素子は、トランジスタの形成された半導体基板上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜に埋め込まれ、金属イオンを供給する第1と第2の電極と、前記第1の絶縁膜と前記第1と第2の電極とを覆う第2の絶縁膜と、前記第1と第2の電極の端部を含む上面の一部を、並進対称性を有して前記第2の絶縁膜から露出させる第1と第2の開口部と、前記第1と第2の開口部を各々覆い、前記開口部で前記第1と第2の電極の前記端部を含む前記上面の一部に接続する金属析出型の第1と第2の抵抗変化膜と、前記第1と第2の抵抗変化膜の上面に各々接続する第3と第4の電極と、前記第3と第4の電極とに接続し、前記トランジスタの拡散層に接続する第5の電極と、を有する。
請求項（抜粋）：
トランジスタの形成された半導体基板上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜に埋め込まれ、金属イオンを供給する第1と第2の電極と、
前記第1の絶縁膜と前記第1と第2の電極とを覆う第2の絶縁膜と、
前記第1と第2の電極の端部を含む上面の一部を、並進対称性を有して前記第2の絶縁膜から露出させる第1と第2の開口部と、
前記第1と第2の開口部を各々覆い、前記第1と第2の開口部で前記第1と第2の電極の前記端部を含む前記上面の一部に接続する金属析出型の第1と第2の抵抗変化膜と、
前記第1と第2の抵抗変化膜の上面に各々接続する第3と第4の電極と、
前記第3と第4の電極とに接続し、前記トランジスタの拡散層に接続する第5の電極と、を有する抵抗変化素子。
IPC (4件)：
H01L 21/823
, H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/105 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR33
, 5F083PR40
