半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池上徹真 , 須藤章 , 松山允之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-059831
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187114
特許番号：特許第6239250号
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1と第2の面を有し、p型不純物とn型不純物を含有し、前記p型不純物を元素A、前記n型不純物を元素Dとする場合に、前記元素Aと前記元素Dとの組み合わせが、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)またはIn(インジウム)とN(窒素)、B(ボロン)とP(リン)の少なくとも一方の組み合わせであり、前記組み合わせを構成する前記元素Aの濃度の前記元素Dの濃度に対する比が0.40より大きく0.95より小さく、前記組み合わせを構成する前記元素Dの濃度が1×1018cm-3以上1×1022cm-3以下であるn型SiC基板と、前記第1の面上に設けられたSiC層と、前記第1の面側に設けられた第1の電極と、前記第2の面上に設けられた第2の電極と、を備える半導体装置。

IPC (17件)：

H01L 29/861 ( 200 6.01) , H01L 29/868 ( 200 6.01) , H01L 29/47 ( 200 6.01) , H01L 29/872 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 29/41 ( 200 6.01) , H01L 29/417 ( 200 6.01) , H01L 21/329 ( 200 6.01) , H01L 29/16 ( 200 6.01) , H01L 29/167 ( 200 6.01) , H01L 29/12 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/739 ( 200 6.01) , H01L 21/337 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/808 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (17件)：

H01L 29/91 F , H01L 29/48 D , H01L 21/28 301 B , H01L 29/44 L , H01L 29/48 F , H01L 29/50 B , H01L 29/50 M , H01L 29/50 J , H01L 29/91 K , H01L 29/91 A , H01L 29/16 , H01L 29/167 , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 655 C , H01L 29/80 V , H01L 29/80 C

引用文献：

審査官引用 (1件)

Theoretical Study of Acceptor-Donor Complexes in 4H-SiC

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