特許
J-GLOBAL ID:201803010773549215
薄板LN光制御デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
田村 爾
, 杉村 純子
, 藤松 正雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-241813
公開番号(公開出願番号):特開2018-097159
出願日: 2016年12月14日
公開日(公表日): 2018年06月21日
要約:
【課題】DCドリフトの発生を抑制し、量産性にすぐれた薄板LN光制御デバイスを提供すること。【解決手段】ニオブ酸リチウムを用いた基板に、Tiを熱拡散して形成した光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を制御するための制御電極とが設けられ、かつ、該基板の少なくとも一部が薄板化されている薄板LN光導波路素子と、該薄板LN光導波路素子を気密封止して収容する筐体とを備えた薄板LN光制御デバイスにおいて、該筐体内部の封入ガスには、酸素が含まれていることを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
ニオブ酸リチウムを用いた基板に、Tiを熱拡散させて形成した光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を制御するための制御電極とが設けられ、かつ、該基板の少なくとも一部が薄板化されている薄板LN光導波路素子とを、該薄板LN光導波路素子を気密封止して収容する筐体とを備えた薄板LN光制御デバイスにおいて、
該筐体内部の封入ガスには、酸素が含まれていることを特徴とする薄板LN光制御デバイス。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (11件):
2K102AA22
, 2K102BD01
, 2K102BD09
, 2K102CA09
, 2K102CA28
, 2K102DB04
, 2K102DC04
, 2K102DD05
, 2K102EA03
, 2K102EB16
, 2K102EB30
引用特許: