特許

J-GLOBAL ID：201803011228384035

光電変換素子および固体撮像装置

発明者： 長谷川 雄大 ,  茂木 英昭 ,  伊藤 琢哉
出願人/特許権者： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016078208
公開番号（公開出願番号）：WO2017-077790
出願日： 2016年09月26日
公開日（公表日）： 2017年05月11日
要約：

本開示の一実施形態の光電変換素子は、対向配置された第1電極15aおよび第2電極18と、第1電極15aと第2電極18との間に設けられると共に、式(1)で表わされる第1のキナクリドン誘導体を含む光電変換層17とを備える。

請求項（抜粋）：

対向配置された第1電極および第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に設けられると共に、下記式(1)で表わされる第1のキナクリドン誘導体を含む光電変換層と を備えた光電変換素子。

IPC (6件)：

H01L 27/146 ,  H01L 51/42 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/30 ,  H04N 5/369 ,  H04N 9/07

FI (6件)：

H01L27/146 E ,  H01L31/08 T ,  H01L31/10 A ,  H01L27/30 ,  H04N5/369 ,  H04N9/07 A

Fターム (43件)：

4M118BA07 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118BA18 ,  4M118CA14 ,  4M118CA22 ,  4M118CB05 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CX41 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GX14 ,  5C024GX24 ,  5C065AA03 ,  5C065BB30 ,  5C065CC01 ,  5C065DD17 ,  5F849AA02 ,  5F849AB03 ,  5F849AB11 ,  5F849BB03 ,  5F849CB05 ,  5F849CB07 ,  5F849CB10 ,  5F849CB14 ,  5F849EA13 ,  5F849FA02 ,  5F849FA03 ,  5F849FA04 ,  5F849GA03 ,  5F849HA10 ,  5F849KA20 ,  5F849XA43 ,  5F849XB01