特許

J-GLOBAL ID：201803011312405102

磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： 細谷 裕之 ,  永峰 佳紀
出願人/特許権者： キヤノンアネルバ株式会社
代理人 (4件)： 岡部 讓 ,  吉澤 弘司 ,  三村 治彦 ,  岡部 洋
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016000503
公開番号（公開出願番号）：WO2017-134697
出願日： 2016年02月01日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
要約：

本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造方法は、リファレンス層が成膜された基板上にMg膜を形成し、Mg膜を酸化することによりリファレンス層の上にMgO層を成膜する工程と、MgO層が成膜された基板を加熱する工程と、加熱する工程の後に、MgO層の上にMg層を成膜する工程と、Mg層が成膜された基板を冷却する工程と、冷却する工程により基板が冷却された状態で、Mg層の上にフリー層を成膜する工程と、を有し、Mg層を成膜する工程と、冷却する工程と、フリー層を成膜する工程は、同じ処理チャンバ内で行われることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

リファレンス層が成膜された基板上にMg膜を形成し、前記Mg膜を酸化することにより前記リファレンス層の上にMgO層を成膜する工程と、 前記MgO層が成膜された前記基板を加熱する工程と、 前記加熱する工程の後に、前記MgO層の上にMg層を成膜する工程と、 前記Mg層が成膜された前記基板を冷却する工程と、 前記冷却する工程により前記基板が冷却された状態で、前記Mg層の上にフリー層を成膜する工程と、を有し、 前記Mg層を成膜する工程と、前記冷却する工程と、前記フリー層を成膜する工程は、同じ処理チャンバ内で行われることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 43/12 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L43/12 ,  H01L27/105 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (26件)：

4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD17 ,  4M119JJ02 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC11 ,  5F092AD23 ,  5F092BB17 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC13 ,  5F092CA02 ,  5F092CA13 ,  5F092CA25 ,  5F092GA05