特許
J-GLOBAL ID：201803011341802668
太陽電池
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
新居 広守
, 寺谷 英作
, 道坂 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-041367
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093237
出願日： 2018年03月08日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：
【課題】透明電極層中に混入された金属成分が半導体接合領域に拡散するのを低減できる太陽電池を提供する。【解決手段】受光面と裏面12を有する半導体基板10nと、裏面12上に形成される第1導電型の第1半導体層20nと、裏面12上に形成される第2導電型の第2半導体層30pと、第1半導体層20n上に形成される第1金属電極層53nと、第2半導体層30p上に形成される第2金属電極層53pと、第1半導体層20nが設けられる第1導電型領域と第2半導体層30pが設けられる第2導電型領域の境界領域42に設けられる絶縁層40とを備え、絶縁層40は、第1半導体層20n上に設けられ、絶縁層40上に第2半導体層30pが設けられ、第1半導体層20nと絶縁層40との間に、タングステン含有層41が形成され、タングステン含有層41におけるタングステンの含有量は、1010〜1012atms/cm2である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
受光面と裏面とを有する第1導電型または第2導電型の半導体基板と、
前記裏面上に形成される第1導電型を有する第1半導体層と、
前記裏面上に形成される第2導電型を有する第2半導体層と、
前記第1半導体層の上に形成される第1金属電極層と、
前記第2半導体層の上に形成される第2金属電極層と、
前記第1半導体層が設けられる第1導電型領域と前記第2半導体層が設けられる第2導電型領域の境界領域に設けられる窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる絶縁層とを備え、
前記絶縁層は、前記第1半導体層の上に設けられ、前記絶縁層の上に前記第2半導体層が設けられており、前記第1半導体層と前記絶縁層との間に、タングステン含有層が形成されており、
前記タングステン含有層におけるタングステンの含有量は、1010〜1012atms/cm2である、太陽電池。
IPC (2件)：
H01L 31/022
, H01L 31/074
H01L31/04 260
, H01L31/06 455
5F151AA02
, 5F151AA05
, 5F151CB12
, 5F151CB21
, 5F151CB27
, 5F151DA03
, 5F151DA07
, 5F151DA10
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA17
, 5F151GA04
, 5F151GA15
