光電変換素子、撮像素子および撮像装置

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：阿部琢磨 , 黒岩創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-220715
公開番号（公開出願番号）：特開2018-078241
出願日： 2016年11月11日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

【課題】低暗電流の光電変換素子、それを有する撮像素子、撮像装置を提供する。【解決手段】下部電極5、光電変換層1、上部電極4をこの順に有し、下部電極と上部電極との間に電圧を印加する光電変換素子であって、光電変換層は、第一の有機化合物と、第二の有機化合物層とを有し、第一の有機化合物の酸化電位は、第二の有機化合物の酸化電位よりも小さく、下記式(A)で表されるΔEが、下記式(B)を満たすことを特徴とする光電変換素子を提供する。ΔE=第一の有機化合物の酸化電位-第二の有機化合物の還元電位(A)、ΔE≧1.79[V](B)【選択図】図2

請求項（抜粋）：

下部電極、光電変換層、上部電極をこの順に有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加する光電変換素子であって、前記光電変換層は、第一の有機化合物と、第二の有機化合物層とを有し、前記第一の有機化合物の酸化電位は、前記第二の有機化合物の酸化電位よりも小さく、下記式(A)で表されるΔEが、下記式(B)を満たすことを特徴とする光電変換素子。 ΔE=第一の有機化合物の酸化電位-第二の有機化合物の還元電位 (A) ΔE≧1.79 [V] (B)

IPC (3件)：

H01L 51/42 , H01L 27/146 , H04N 5/369

FI (3件)：

H01L31/08 T , H01L27/14 E , H04N5/335 690

Fターム (34件)：

4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118CA14 , 4M118CA32 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118CB20 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FA06 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024CX32 , 5C024CY47 , 5C024EX43 , 5C024EX51 , 5C024EX52 , 5C024GX16 , 5C024GY01 , 5C024GY31 , 5F849AB11 , 5F849BA05 , 5F849BB03 , 5F849KA20 , 5F849XA02 , 5F849XA13 , 5F849XA44 , 5F849XA45 , 5F849XA46 , 5F849XA50

引用特許：

審査官引用 (4件)

光電変換素子、撮像素子、撮像素子の製造方法、撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-035234 出願人：富士フイルム株式会社
太陽電池における使用のためのIV族金属のアリールオキシ-フタロシアニン
公報種別：公表公報出願番号：特願2015-560805 出願人：サウジベイシックインダストリーズコーポレイション
フルオランテン化合物およびそれを含む有機電子素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2015-538037 出願人：エルジー・ケム・リミテッド

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