特許
J-GLOBAL ID:201803011568230393
粒子ビームの強度の制御
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
村山 靖彦
, 実広 信哉
, 阿部 達彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-072427
公開番号(公開出願番号):特開2018-110133
出願日: 2018年04月04日
公開日(公表日): 2018年07月12日
要約:
【課題】粒子治療システムで使用される陽子またはイオンビームなどの、粒子ビームの強度の制御を提供する。【解決手段】一例において、シンクロサイクロトロンは、電離プラズマのパルスを空洞に送り込むための粒子源と、高周波(RF)電圧を空洞に印加してプラズマ柱から粒子を外部に加速するための電圧源と、空洞から粒子ビームを受けて粒子加速器から出力するための引き出しチャネルとを備える。粒子源は、粒子ビームの強度を制御するために電離プラズマのパルス幅を制御するように構成される。この例示的なシンクロサイクロトロンは、以下の特徴のうちの1つまたは複数を、単独で、または組み合わせて含み得る。【選択図】図17
請求項(抜粋):
電離プラズマのパルスを空洞に送り込むための粒子源と、
高周波(RF)電圧を前記空洞に印加して粒子をプラズマ柱から外部に加速するための電圧源と、
前記空洞から粒子ビームを受けて粒子加速器から出力するための引き出しチャネルとを備え、
前記粒子源は、前記粒子ビームの強度を制御するために前記電離プラズマのパルス幅を制御するように構成される、シンクロサイクロトロン。
IPC (5件):
H05H 13/02
, H05H 1/24
, G21K 5/04
, H05H 7/12
, A61N 5/10
FI (5件):
H05H13/02
, H05H1/24
, G21K5/04 A
, H05H7/12
, A61N5/10 H
Fターム (30件):
2G084AA12
, 2G084CC05
, 2G084CC08
, 2G084CC17
, 2G084CC32
, 2G084DD01
, 2G085AA11
, 2G085BA02
, 2G085BA05
, 2G085BA13
, 2G085BA17
, 2G085BA19
, 2G085BB07
, 2G085BC04
, 2G085BC18
, 2G085BE04
, 2G085BE06
, 2G085CA05
, 2G085CA13
, 2G085CA15
, 2G085CA17
, 2G085CA22
, 2G085CA26
, 2G085EA07
, 4C082AA01
, 4C082AC05
, 4C082AE03
, 4C082AG02
, 4C082AG12
, 4C082AG44
引用特許: