特許

J-GLOBAL ID：201803011732083291

高光電変換効率太陽電池の製造方法及び高光電変換効率太陽電池

発明者： 橋上 洋 ,  渡部 武紀 ,  大塚 寛之
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (2件)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016004875
公開番号（公開出願番号）：WO2018-087794
出願日： 2016年11月14日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

本発明は、単結晶シリコン基板を用いて、単結晶シリコン太陽電池を製造する太陽電池の製造方法であって、単結晶シリコン基板を800°C以上1200°C以下で熱処理する高温熱処理工程を含み、該高温熱処理工程は、単結晶シリコン基板を熱処理装置に装填する搬送ステップと、単結晶シリコン基板を加熱する加熱ステップと、単結晶シリコン基板を800°C以上1200°C以下の所定の温度に保つ保温ステップと、単結晶シリコン基板を冷却する冷却ステップとを有し、高温熱処理工程において、搬送ステップ及び加熱ステップを通して単結晶シリコン基板の温度が400°C以上650°C以下となる時間を5分以内とする太陽電池の製造方法である。これにより、光電変換効率が高く基板面内で特性が均一である太陽電池を製造することができる太陽電池の製造方法が提供される。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板を用いて、単結晶シリコン太陽電池を製造する太陽電池の製造方法であって、 前記単結晶シリコン基板を800°C以上1200°C以下で熱処理する高温熱処理工程を含み、 該高温熱処理工程は、 前記単結晶シリコン基板を熱処理装置に装填する搬送ステップと、 前記単結晶シリコン基板を加熱する加熱ステップと、 前記単結晶シリコン基板を800°C以上1200°C以下の所定の温度に保つ保温ステップと、 前記単結晶シリコン基板を冷却する冷却ステップと を有し、 前記高温熱処理工程において、前記搬送ステップ及び前記加熱ステップを通して前記単結晶シリコン基板の温度が400°C以上650°C以下となる時間を5分以内とすることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/068

FI (1件)：

H01L31/06 300

Fターム (13件)：

5F151AA02 ,  5F151AA16 ,  5F151CB20 ,  5F151CB24 ,  5F151CB29 ,  5F151DA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151HA20