特許

J-GLOBAL ID：201803011815856152

半導体装置

発明者： 小山 潤
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-080287
公開番号（公開出願番号）：特開2018-128692
出願日： 2018年04月19日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：

【課題】消費電力が小さく抑えられ、出力される電位の振幅が小さくなるのを防ぐことができる、単極性のトランジスタを用いた半導体装置。【解決手段】第1電位を有する第1配線、第2電位を有する第2配線、及び第3電位を有する第3配線と、極性が同じである第1トランジスタ及び第2トランジスタと、第1トランジスタ及び第2トランジスタのゲートに第1電位を与えるか、第1トランジスタ及び第2トランジスタのゲートに第3電位を与えるかを選択し、なおかつ、第1トランジスタ及び第2トランジスタのドレイン端子に、1電位を与えるか否かを選択する複数の第3トランジスタと、を有し、第1トランジスタのソース端子は、第2配線に接続され、第2トランジスタのソース端子は、第3配線に接続されている半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電位を有する第1配線、及び第2電位を有する第2配線と、 極性が同じである第1トランジスタ及び第2トランジスタと、 前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのゲートへの、前記第2電位の供給を制御する複数の第3トランジスタと、を有し、 前記第1トランジスタのソース端子は、前記第1配線に接続され、 前記第2トランジスタのソース端子は、前記第2配線に接続されている半導体装置。

IPC (8件)：

G09G 3/20 ,  G09G 3/322 ,  G11C 19/28 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (11件)：

G09G3/20 622E ,  G09G3/20 611A ,  G09G3/3225 ,  G09G3/20 622C ,  G09G3/20 623H ,  G09G3/20 623C ,  G11C19/28 230 ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/088 331E ,  H01L27/04 D ,  H01L27/088 C

Fターム (47件)：

5B074AA04 ,  5B074CA01 ,  5B074DB02 ,  5B074EA01 ,  5C080AA05 ,  5C080AA06 ,  5C080AA10 ,  5C080AA13 ,  5C080AA17 ,  5C080DD26 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK07 ,  5C380AA01 ,  5C380AC08 ,  5C380AC11 ,  5C380AC12 ,  5C380BA01 ,  5C380CA54 ,  5C380CB31 ,  5C380CF07 ,  5C380CF10 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038CD02 ,  5F038CD12 ,  5F038CD16 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB14 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BF16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ゲート駆動回路及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-105415   出願人：三星電子株式会社
• インバータ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-035633   出願人：セイコーエプソン株式会社