特許
J-GLOBAL ID：201803011854794776
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-119800
公開番号（公開出願番号）：特開2017-224751
出願日： 2016年06月16日
公開日（公表日）： 2017年12月21日
要約：
【課題】本明細書が開示する技術は、パワーカードと冷却器とが絶縁部材を挟んで積層されている半導体装置に関し、絶縁性の確保と、半導体装置の厚み維持の両立を図る。【解決手段】 半導体装置2は、半導体素子Ta、Tbを収容したパワーカード10と冷却器3とが絶縁板6a、6bを挟んで積層されているとともに積層方向に加圧されている。パワーカード10の表面には、半導体素子Ta、Tbで発生する熱を放出する導電性の放熱板16a、16b、17が露出している。絶縁板6a、6bには、放熱板16a、16b、17に対向する位置に孔が形成されている。孔には、絶縁板6a、6bよりも軟らかい絶縁部材8a、8bが充填されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体素子を収容したパワーカードと冷却器とが第1の絶縁部材を挟んで積層されているとともに積層方向に加圧されている半導体装置であって、
前記パワーカードの表面には、前記半導体素子で発生する熱を放出する導電性の放熱部材が露出しており、
前記第1の絶縁部材には、前記放熱部材に対向する位置に孔が形成されており、
前記孔には、前記第1の絶縁部材よりも軟らかい第2の絶縁部材が充填されている、半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
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