特許

J-GLOBAL ID：201803011855179838

配線基板及びその製造方法

発明者： 高木 優 ,  鈴木 慎也 ,  井上 真宏 ,  関 寿毅
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-132293
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006592
出願日： 2016年07月04日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】配線の寸法精度を損なうことなく、伝送損失を低減させる技術を提供する。【解決手段】配線基板は、ガラスもしくはセラミックにより形成されており、表面に溝部を備える基板と、前記基板の前記表面において、前記溝部が形成されていない部分に形成された複数の金属酸化物層と、複数の前記金属酸化物層の上にそれぞれ形成された複数の金属配線層とを備えた配線基板であって、前記金属酸化物層の一部と前記金属配線層の一部とに接し、かつ、前記表面側から見た場合に隣接する前記金属配線層の間に形成されている前記溝部の内部に、比誘電率と誘電正接との積が前記基板よりも小さい誘電体層を備えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガラスもしくはセラミックにより形成されており、表面に溝部を備える基板と、 前記基板の前記表面において、前記溝部が形成されていない部分に形成された複数の金属酸化物層と、 複数の前記金属酸化物層の上にそれぞれ形成された複数の金属配線層とを備えた配線基板であって、 前記金属酸化物層の一部と前記金属配線層の一部とに接し、かつ、前記表面側から見た場合に隣接する前記金属配線層の間に形成されている前記溝部の内部に、比誘電率と誘電正接との積が前記基板よりも小さい誘電体層を備える ことを特徴とする、配線基板。

IPC (2件)：

H05K 3/28 ,  H05K 1/02

FI (3件)：

H05K3/28 C ,  H05K3/28 B ,  H05K1/02 B

Fターム (18件)：

5E314AA31 ,  5E314AA32 ,  5E314AA39 ,  5E314AA42 ,  5E314BB02 ,  5E314CC07 ,  5E314CC20 ,  5E314FF02 ,  5E314FF03 ,  5E314FF17 ,  5E314GG26 ,  5E338AA18 ,  5E338BB19 ,  5E338BB23 ,  5E338CC02 ,  5E338CC06 ,  5E338CD12 ,  5E338EE11