被覆されたレーザファセットを有するレーザダイオードチップ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：アインゼル・フェリックス=ラインハルト , 前川純一 , 二宮浩康 , 上島類
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-072364
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137462
出願日： 2018年04月04日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：

【課題】改善された長時間安定性において優れるレーザダイオードチップを提案することにある。【解決手段】レーザダイオードチップは、2つの向き合ったレーザファセット9によって共振器ミラーが形成されている端面放射型レーザダイオードチップであって、少なくとも1つのレーザファセット9が被覆10を有するレーザダイオードチップ1に関する。被覆10は少なくとも1つの無機被覆14、15、16及び少なくとも1つの有機被覆20を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被覆(10)を有する少なくとも1つのレーザファセット(9)を有するレーザダイオードチップ(1)であって、ここで被覆(10)が少なくとも1つの無機層(14、15、16、17、18)及び少なくとも1つの有機層(20、21、22)を有する前記レーザダイオードチップ(1)。

IPC (3件)：

H01S 5/028 , C23C 14/06 , C23C 16/22

FI (3件)：

H01S5/028 , C23C14/06 P , C23C16/22

Fターム (53件)：

4K029AA21 , 4K029BA34 , 4K029BA44 , 4K029BA45 , 4K029BA48 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BA56 , 4K029BA58 , 4K029BA62 , 4K029BD01 , 4K029CA03 , 4K029EA01 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA10 , 4K030BA11 , 4K030BA13 , 4K030BA17 , 4K030BA19 , 4K030BA22 , 4K030BA26 , 4K030BA27 , 4K030BA28 , 4K030BA36 , 4K030BA37 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA46 , 4K030BA47 , 4K030BA61 , 4K030CA11 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030LA15 , 5F173AH03 , 5F173AH06 , 5F173AH22 , 5F173AL05 , 5F173AL06 , 5F173AL12 , 5F173AL13 , 5F173AL15 , 5F173AL16 , 5F173AL19 , 5F173AP73 , 5F173AP75 , 5F173AP78 , 5F173AR68

引用特許：

出願人引用 (12件)

窒化物半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-187681 出願人：パナソニック株式会社
特開昭63-280486
特開平1-318272

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審査官引用 (13件)

特許第6321197号
窒化物半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-187681 出願人：パナソニック株式会社
特開昭63-280486

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引用文献：

出願人引用 (1件)

Wavelength stability of DFB lasers for non-hermetic applications

審査官引用 (1件)

Wavelength stability of DFB lasers for non-hermetic applications

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