特許
J-GLOBAL ID:201803012306792796
撮像装置の製造方法、撮像装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
大塚 康徳
, 大塚 康弘
, 高柳 司郎
, 木村 秀二
, 下山 治
, 永川 行光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-203036
公開番号(公開出願番号):特開2018-064071
出願日: 2016年10月14日
公開日(公表日): 2018年04月19日
要約:
【課題】1つの画素内に配された複数の制御素子を、それぞれ識別するのに有利な技術を提供する。【解決手段】それぞれ基板の上に配された、光電変換素子と、光電変換素子を制御するための複数の制御素子と、光電変換素子の上で第1の方向に延びる配線パターンと、を含む画素を含む撮像装置の製造方法であって、複数の制御素子は、基板に対する正射影おいて、光電変換素子の中央を通る仮想線を挟み一方および他方の側にそれぞれ配される第1および第2の制御素子を含み、配線パターンは、第1の制御素子および第2の制御素子をそれぞれ識別するために、配線パターンの一部から第1の方向と交差する方向に突出する識別部を含み、製造方法は、識別部を用いて複数の制御素子のうち加工が必要な制御素子を識別する識別工程と、識別工程によって特定された制御素子に対して加工を行う工程と、を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
それぞれ基板の上に配された、光電変換素子と、前記光電変換素子を制御するための複数の制御素子と、前記光電変換素子の上で第1の方向に延びる配線パターンと、を含む画素を含む撮像装置の製造方法であって、
前記複数の制御素子は、前記基板に対する正射影おいて、前記光電変換素子の中央を通る仮想線を挟み一方および他方の側にそれぞれ配される第1および第2の制御素子を含み、
前記配線パターンは、前記第1および第2の制御素子をそれぞれ識別するために、前記配線パターンの一部から前記第1の方向と交差する方向に突出する識別部を含み、
前記製造方法は、
前記識別部を用いて前記複数の制御素子のうち加工が必要な制御素子を識別する識別工程と、
前記識別工程によって特定された制御素子に対して前記加工を行う工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
IPC (6件):
H01L 27/146
, H01L 27/144
, G01T 1/20
, G01T 1/24
, H01L 31/10
, H04N 5/369
FI (7件):
H01L27/14 C
, H01L27/14 K
, G01T1/20 G
, G01T1/20 E
, G01T1/24
, H01L31/10 A
, H04N5/335 690
Fターム (38件):
2G188BB02
, 2G188BB04
, 2G188BB05
, 2G188BB06
, 2G188BB08
, 2G188CC22
, 2G188CC32
, 2G188DD05
, 2G188DD35
, 2G188EE33
, 2G188FF15
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA03
, 4M118CA05
, 4M118CA07
, 4M118CB11
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FB03
, 4M118FB13
, 4M118FB23
, 5C024AX11
, 5C024CX22
, 5C024CY47
, 5C024GX02
, 5C024GX09
, 5C024GX16
, 5C024HX40
, 5F849AA15
, 5F849BA28
, 5F849BB03
, 5F849BB08
, 5F849EA13
, 5F849GA02
, 5F849HA17
, 5F849LA07
, 5F849XB44
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