特許

J-GLOBAL ID：201803012382340373

半導体装置の製造方法

発明者： 堀越 孝太郎
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-127211
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006392
出願日： 2016年06月28日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】半導体装置の製造におけるプラズマ処理の生産性を向上させる。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)内部が真空排気によって減圧されたチャンバ内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、(b)上記(a)工程の後、上記半導体ウエハを上記ステージによって吸着保持した状態で上記チャンバ内にプラズマを形成して上記半導体ウエハに所望のエッチング処理を行う工程、を有する。ここで、上記(a)工程の前に、上記チャンバ内に電気陰性度が窒素ガスより高い陰性ガスであるO2ガスを導入し、上記チャンバ内にO2プラズマを形成して上記ステージに残留する電荷を除去する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(a)内部が真空排気によって減圧された真空容器内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、 (b)前記(a)工程の後、前記半導体ウエハを前記ステージによって吸着保持した状態で前記真空容器内にプラズマを形成して前記半導体ウエハに所望の処理を行う工程、 を有し、 前記(a)工程の前に、前記真空容器内に電気陰性度が窒素ガスより高いプロセスガスを導入し、前記真空容器内にプラズマを形成して前記ステージに残留する電荷を除去する、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/683 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/68 R ,  H01L21/302 106

Fターム (22件)：

5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BC06 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F131AA02 ,  5F131BA19 ,  5F131CA18 ,  5F131CA68 ,  5F131DA33 ,  5F131DA42 ,  5F131EA03 ,  5F131EB14 ,  5F131EB24 ,  5F131EB71 ,  5F131EB72