特許

J-GLOBAL ID：201803012400139923

ウエーハの分割方法

発明者： 則本 隆司
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-207846
公開番号（公開出願番号）：特開2018-073866
出願日： 2016年10月24日
公開日（公表日）： 2018年05月10日
要約：

【課題】デバイスをプラズマから保護するためのマスクを効率的に安価に形成することができるウエーハの分割方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの分割方法は、ウエーハの裏面にレーザー光線を吸収するレーザー光吸収剤が混合されている液状樹脂を被覆して遮蔽膜を形成する遮蔽膜被覆ステップST2と、遮蔽膜が被覆されたウエーハに裏面側からレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、アブレーション加工によって遮蔽膜を分割予定ラインに沿って除去する遮蔽膜除去ステップST3と、遮蔽膜除去ステップST3を実施した後、ウエーハの裏面側からウエーハをプラズマエッチングし、遮蔽膜が除去された分割予定ラインの領域をエッチングしてウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップST4とを備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表面の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成されたウエーハの分割方法であって、 ウエーハの裏面に、レーザー光線を吸収するレーザー光吸収剤が混合されている液状またはシート状の樹脂を被覆して遮蔽膜を形成する遮蔽膜被覆ステップと、 該遮蔽膜が被覆されたウエーハに裏面側からレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、アブレーション加工によって該遮蔽膜を該分割予定ラインに沿って除去する遮蔽膜除去ステップと、 該遮蔽膜除去ステップを実施した後、ウエーハの裏面側からウエーハをプラズマエッチングし、該遮蔽膜が除去された該分割予定ラインの領域をエッチングしてウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、 該遮蔽膜は、ダイボンド用接着剤であることを特徴とするウエーハの分割方法。

IPC (5件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/18 ,  B23K 26/351 ,  H01L 21/52 ,  B23K 26/57

FI (6件)：

H01L21/78 S ,  H01L21/78 L ,  B23K26/18 ,  B23K26/351 ,  H01L21/52 E ,  B23K26/57

Fターム (28件)：

4E168AD18 ,  4E168CA06 ,  4E168DA04 ,  4E168FD01 ,  4E168JA12 ,  4E168JA13 ,  4E168JA17 ,  5F047AA17 ,  5F047BA34 ,  5F047BA55 ,  5F047BB03 ,  5F047BB11 ,  5F047BB19 ,  5F047CA01 ,  5F063AA43 ,  5F063BA33 ,  5F063BA43 ,  5F063BA47 ,  5F063CA08 ,  5F063DD46 ,  5F063DE02 ,  5F063DE03 ,  5F063DE33 ,  5F063DF06 ,  5F063DF11 ,  5F063DF12 ,  5F063DF23 ,  5F063FF11