電荷分配構造物を含むスイッチングデバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿部正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-031470
公開番号（公開出願番号）：特開2018-152555
出願日： 2018年02月26日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：

【課題】絶縁破壊電圧の高い電力スイッチを提供する。【解決手段】半導体デバイスが、基材と、基材の上方に位置する第1の活性層120とを含む。第1の活性層120と第2の活性層115との間に横方向導電チャネル155が生じるように、半導体デバイスが、第1の活性層120上に位置する第2の活性層115をさらに含む。ソース接点125とゲート接点130とドレイン接点150とが、第2の活性層115の上方に位置する。導電性電荷分配構造物E1〜ENが、ゲート接点130とドレイン接点150との間において第2の活性層115の上方に位置する。導電性電荷分配構造物E1〜ENが、ゲート接点130に容量結合される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材と、前記基材の上方に位置する第1の活性層と、前記第1の活性層と第2の活性層との間に横方向導電チャネルが生じるように、前記第1の活性層上に位置する前記第2の活性層と、前記第2の活性層の上方に位置する、ソース接点とゲート接点とドレイン接点と、前記ゲート接点と前記ドレイン接点との間において前記第2の活性層の上方に位置する導電性電荷分配構造物と、を備え、前記導電性電荷分配構造物が、前記ゲート接点に容量的にのみ結合され、前記導電性電荷分配構造物が、複数の電荷分配構造物コンポーネントを含み、前記電荷分配構造物コンポーネントのうちの第1の電荷分配構造物コンポーネントが、前記ゲート接点に容量的にのみ結合され、前記電荷分配構造物コンポーネントのうちの第2の電荷分配構造物コンポーネントが、前記第1の電荷分配構造物コンポーネントに容量的にのみ結合され、前記電荷分配構造物コンポーネントの各々が、第1の長尺部材と第2の長尺部材とが互いに電気的に接続されるように、第1の層内に形成された前記第1の長尺部材と第2の層内に形成された前記第2の長尺部材とを含み、前記横方向導電チャネルの長さが、25マイクロメートル未満である、半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 301H , H01L29/78 301W

Fターム (22件)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GV05 , 5F140AA01 , 5F140AA25 , 5F140AC02 , 5F140AC28 , 5F140BA06 , 5F140BB06 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF42 , 5F140BF46

引用特許：

出願人引用 (2件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-204694 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-057282 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-204694 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-057282 出願人：株式会社東芝

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