積層基板の測定方法、積層基板および測定装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：龍華国際特許業務法人 , 林茂則
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016059699
公開番号（公開出願番号）：WO2016-158785
出願日： 2016年03月25日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

ベース基板、吸収層および被測定層をこの順に有し、被測定層が単一または複数の被測定単層を有し、被測定層が位置する側からしきい波長より短波長の光を含む入射光を照射し、反射光を測定することにより、しきい波長以下の波長における互いに独立な2n(nは被測定層に含まれる被測定単層の層数であり1以上の整数)以上の反射光関連値を取得するステップと、2n以上の反射光関連値を用いて、被測定層に含まれる各被測定単層について、被測定単層に関する値を計算するステップとを有し、しきい波長として吸収層の消衰係数kを波長λ(単位はnm)の関数k(λ)として表した場合の一回微分dk(λ)/dλの絶対値が消衰微分しきい値以下となる波長範囲の最大波長を用いる測定方法を提供する。

請求項（抜粋）：

ベース基板と、被測定層と、前記ベース基板および前記被測定層の間に位置する吸収層と、を有する積層基板の測定方法であって、前記被測定層が、単層である被測定単層または前記被測定単層が複数積層された被測定積層を有し、前記被測定層が位置する側の前記積層基板の表面に向けて、しきい波長より短波長の光を含む入射光を照射し、前記入射光の前記積層基板からの反射光を測定することにより、前記しきい波長以下の波長における互いに独立な2n(但し、nは、前記被測定層に含まれる前記被測定単層の層数であり、1以上の整数である。)以上の反射光関連値を取得するステップと、 2n以上の前記反射光関連値を用いて、前記被測定層に含まれる各被測定単層について、前記被測定単層に関する値を計算するステップと、を有し、前記しきい波長として、前記吸収層の消衰係数kを波長λ(単位はnm)の関数k(λ)として表した場合の一回微分dk(λ)/dλの絶対値が消衰微分しきい値以下となる波長範囲の最大波長を用いる積層基板の測定方法。

IPC (3件)：

G01N 21/21 , G01B 11/06 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01N21/21 Z , G01B11/06 G , H01L21/66 L

Fターム (44件)：

2F065AA30 , 2F065BB17 , 2F065BB23 , 2F065CC19 , 2F065CC31 , 2F065FF50 , 2F065FF51 , 2F065GG24 , 2F065HH03 , 2F065HH08 , 2F065HH12 , 2F065JJ01 , 2F065JJ08 , 2F065LL33 , 2F065LL34 , 2F065LL67 , 2F065MM16 , 2F065NN06 , 2F065QQ25 , 2G059AA02 , 2G059AA03 , 2G059BB10 , 2G059BB16 , 2G059CC03 , 2G059EE02 , 2G059EE05 , 2G059EE12 , 2G059HH06 , 2G059JJ01 , 2G059MM01 , 2G059MM02 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CA48 , 4M106DE20 , 4M106DH31 , 4M106DH38 , 4M106DH39 , 4M106DJ14 , 4M106DJ18 , 4M106DJ19 , 4M106DJ21 , 4M106DJ27 , 4M106DJ32

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