特許

J-GLOBAL ID：201803012519098605

中空糸炭素膜の製造方法及び分離膜モジュール

発明者： 吉宗 美紀 ,  原谷 賢治 ,  原 伸生
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (2件)： 平川 明 ,  佐貫 伸一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016056497
公開番号（公開出願番号）：WO2016-158183
出願日： 2016年03月02日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

気体分離膜として利用することができる中空糸炭素膜の気体分子の透過速度や選択性を簡易的に制御することができる方法を提供することを目的とする。有機高分子化合物を中空糸状に成形した前駆体を準備する準備工程、前記前駆体を酸素ガスを含む雰囲気下で150°C〜400°Cに加熱する予備加熱工程、及び予備加熱工程を経た前駆体を450°C〜850°Cに加熱して炭化する炭化工程を含み、前記炭化工程が、窒素原子を含んでいてもよい炭素数1〜8の炭化水素ガスの存在下で加熱することを含む中空糸炭素膜の製造方法によって、得られる中空糸炭素膜の気体分子の透過速度や選択性を簡易的に制御することができる。

請求項（抜粋）：

有機高分子化合物を中空糸状に成形した前駆体を準備する準備工程、前記前駆体を酸素ガスを含む雰囲気下で150°C〜400°Cに加熱する予備加熱工程、及び前記予備加熱工程を経た前駆体を450°C〜850°Cに加熱して炭化する炭化工程を含む中空糸炭素膜の製造方法であって、 前記炭化工程が、窒素原子を含んでいてもよい炭素数1〜8の炭化水素ガスの存在下で加熱することを含む、中空糸炭素膜の製造方法。

IPC (6件)：

B01D 71/02 ,  B01D 63/02 ,  B01D 69/08 ,  B01D 71/52 ,  C01B 32/05 ,  D01F 9/24

FI (6件)：

B01D71/02 ,  B01D63/02 ,  B01D69/08 ,  B01D71/52 ,  C01B32/05 ,  D01F9/24

Fターム (69件)：

4D006GA41 ,  4D006HA03 ,  4D006HA08 ,  4D006JA03A ,  4D006JA15A ,  4D006JA19A ,  4D006JA25A ,  4D006MA01 ,  4D006MB03 ,  4D006MB04 ,  4D006MB16 ,  4D006MC05X ,  4D006MC46X ,  4D006NA10 ,  4D006NA17 ,  4D006NA39 ,  4D006NA62 ,  4D006NA63 ,  4D006NA64 ,  4D006NA75 ,  4D006PA02 ,  4D006PB12 ,  4D006PB17 ,  4D006PB18 ,  4D006PB19 ,  4D006PB59 ,  4D006PB62 ,  4D006PB63 ,  4D006PB64 ,  4D006PB66 ,  4D006PB68 ,  4D006PB70 ,  4D006PC71 ,  4D006PC72 ,  4D006PC80 ,  4G146AA01 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC30A ,  4G146AC30B ,  4G146AD40 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA13 ,  4G146BA14 ,  4G146BA20 ,  4G146BA38 ,  4G146BA48 ,  4G146BB02 ,  4G146BB04 ,  4G146BB06 ,  4G146BB07 ,  4G146BC02 ,  4G146BC03 ,  4G146BC07 ,  4G146BC23 ,  4G146BC24 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4L037CS03 ,  4L037FA01 ,  4L037FA04 ,  4L037PA46 ,  4L037PC06 ,  4L037PS00 ,  4L037UA15