特許

J-GLOBAL ID：201803012534127816

光電素子の製造方法

発明者： 朴 商鎭 ,  宋 ▲ミンチョル▼ ,  朴 省贊 ,  金 東燮 ,  金 元均 ,  徐 祥源
出願人/特許権者： インテレクチュアル キーストーン テクノロジー エルエルシー
代理人 (1件)： アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-219627
公開番号（公開出願番号）：特開2013-089955
特許番号：特許第6258576号
出願日： 2012年10月01日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型を有する半導体基板に、前記第1導電型と異なる第2導電型を有する第1ドーピング物質層を形成する先蒸着段階と、 前記第1ドーピング物質層が形成された前記半導体基板を加熱する熱拡散段階と、 前記熱拡散段階後、前記第1ドーピング物質層上に、前記第2導電型を有する第2ドーピング物質層を形成する後蒸着段階と、 前記半導体基板、前記第1ドーピング物質層及び前記第2ドーピング物質層の一部をレーザで局所加熱し、前記半導体基板の第1面上にコンタクト層を形成する局所加熱段階と、 前記局所加熱段階後、前記第1ドーピング物質層及び第2ドーピング物質層を除去する段階と、 前記コンタクト層上に第1電極を形成し、前記半導体基板の前記第1面と対向する第2面上に第2電極を形成する段階と、 を含み、 前記後蒸着段階は、前記先蒸着段階よりも工程時間が短く、 前記先蒸着段階は、前記半導体基板が存在する蒸着チャンバ内に、POCl3を含む第1ドーピングソースを提供する段階を含み、前記後蒸着段階は、前記蒸着チャンバ内に、POCl3を含む第2ドーピングソースを提供する段階を含むことを特徴とする光電素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 31/18 ( 200 6.01) ,  H01L 31/0224 ( 200 6.01) ,  H01L 31/068 ( 201 2.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/22 ( 200 6.01) ,  H01L 21/225 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 31/04 440 ,  H01L 31/04 260 ,  H01L 31/06 300 ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/22 S ,  H01L 21/225 Q

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭56-130916
  
• 太陽電池素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-068734   出願人：京セラ株式会社
• 特公昭49-026456
  

審査官引用 (4件)

• 特開昭56-130916
  
• 特開昭56-130916
  
• 太陽電池素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-068734   出願人：京セラ株式会社
• 特公昭49-026456