特許
J-GLOBAL ID：201803012556978470
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016084570
公開番号（公開出願番号）：WO2017-138215
出願日： 2016年11月22日
公開日（公表日）： 2017年08月17日
要約：
ゲート接続層(14)は、外部トレンチ(TO)上にゲート絶縁膜(7)を介して配置された部分を有している。第1の主電極(10)は、活性領域(30)内においてウェル領域(4)と第1の不純物領域(5)とに電気的に接続する主コンタクト(CS)と、活性領域(30)から離れて外部トレンチ(TO)の底面に接する外部コンタクト(CO)とを有している。トレンチ底面電界緩和領域(13)は、ドリフト層(3)内に設けられている。トレンチ底面高濃度領域(18)は、トレンチ底面電界緩和領域(13)の不純物濃度に比して高い不純物濃度を有しており、トレンチ底面電界緩和領域(13)上に設けられており、ゲート絶縁膜(7)を介してゲート接続層(14)と対向する位置から、第1の主電極(10)の外部コンタクト(CO)に接する位置まで延びている。
請求項（抜粋）：
活性領域(30)と前記活性領域(30)外の領域とに跨り、第1の導電型を有するドリフト層(3)と、
前記活性領域(30)内において前記ドリフト層(3)上に設けられ、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有するウェル領域(4)と、
前記ウェル領域(4)上に設けられ、前記ドリフト層(3)から前記ウェル領域(4)によって隔てられ、前記第1の導電型を有する第1の不純物領域(5,5A)と、
前記活性領域(30)内に設けられ、前記第1の不純物領域(5,5A)と前記ウェル領域(4)と前記ドリフト層(3)とに面する側壁を有するゲートトレンチ(TG)と、
前記活性領域(30)外において前記ドリフト層(3)に設けられた外部トレンチ(TO)と、
前記ゲートトレンチ(TG)および前記外部トレンチ(TO)内に設けられたゲート絶縁膜(7)と、
前記ゲートトレンチ(TG)内に前記ゲート絶縁膜(7)を介して設けられたゲート電極(8)と、
前記ゲート電極(8)に接し、前記外部トレンチ(TO)上に前記ゲート絶縁膜(7)を介して配置された部分を有するゲート接続層(14)と、
前記活性領域(30)内において前記ウェル領域(4)と前記第1の不純物領域(5,5A)とに電気的に接続する主コンタクト(CE,CS)と、前記活性領域(30)から離れて前記外部トレンチ(TO)の底面に接する外部コンタクト(CO)とを有する第1の主電極(10,10A)と、
前記ドリフト層(3)に電気的に接続され、前記ウェル領域(4)から少なくとも前記ドリフト層(3)によって隔てられ、前記ドリフト層(3)を介して前記第1の主電極(10,10A)と対向する第2の主電極(11,11A)と、
前記ドリフト層(3)内に設けられ、前記ドリフト層(3)によって前記第2の主電極(11,11A)から隔てられ、前記第2の導電型を有するトレンチ底面電界緩和領域(13)と、
前記第2の導電型を有し、前記トレンチ底面電界緩和領域(13)の不純物濃度に比して高い不純物濃度を有し、前記トレンチ底面電界緩和領域(13)上に設けられ、前記ゲート絶縁膜(7)を介して前記ゲート接続層(14)と対向する位置から、前記第1の主電極(10,10A)の前記外部コンタクト(CO)に接する位置まで延びるトレンチ底面高濃度領域(18,18V)と、
を備える、半導体装置(101〜106,101a〜101e,102a〜102c,103a〜103d,104a,105a,105b)。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 29/06
, H01L 29/739
H01L29/78 652N
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652T
, H01L29/06 301V
, H01L29/06 301S
, H01L29/78 652J
, H01L29/06 301M
, H01L29/06 301G
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 655F
