特許
J-GLOBAL ID：201803012595375472

発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ

発明者：
岡村 卓

岡村 卓 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (3件)： 松本 昂 ,  岡本 知広 ,  笠原 崇廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-159974
公開番号（公開出願番号）：特開2018-029110
出願日： 2016年08月17日
公開日（公表日）： 2018年02月22日
要約：
【課題】十分な輝度が得られる発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップを提供する。【解決手段】発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハ11を準備するウエーハ準備工程と、ウエーハの裏面11bに各LED回路に対応して複数の凹部又は溝を形成するウエーハ裏面加工工程と、全面に渡り複数の貫通孔29が形成された透明基板21を準備する透明基板準備工程と、ウエーハ裏面加工工程を実施した後、透明基板の表面21aにウエーハの裏面を貼着して一体化ウエーハ25を形成する一体化工程と、ウエーハを分割予定ラインに沿って透明基板と共に切断して一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程、とを備える。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
発光ダイオードチップの製造方法であって、 結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、 該ウエーハの裏面に各LED回路に対応して複数の凹部又は溝を形成するウエーハ裏面加工工程と、 全面に渡り複数の貫通孔が形成された透明基板を準備する透明基板準備工程と、 該ウエーハ裏面加工工程を実施した後、該透明基板の表面にウエーハの裏面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、 該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板と共に切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、 を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 Z
Fターム (11件)：
5F241AA04 ,  5F241CA04 ,  5F241CA13 ,  5F241CA22 ,  5F241CA40 ,  5F241CA74 ,  5F241CA75 ,  5F241CA76 ,  5F241CA77 ,  5F241CB33 ,  5F241CB36
引用特許：
審査官引用 (5件)
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