特許

J-GLOBAL ID：201803012676165790

パワー半導体モジュール

発明者： 川村 大地 ,  増田 徹 ,  楠川 順平
出願人/特許権者： 株式会社 日立パワーデバイス
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-205720
公開番号（公開出願番号）：特開2018-067644
出願日： 2016年10月20日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：

【課題】 絶縁部分に空隙やクラックなどの欠陥が存在する場合であっても、欠陥部でのコロナ放電の発生を抑制し、絶縁信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 パワー半導体チップを収容する絶縁ケースと、前記パワー半導体チップを搭載する絶縁基板と、前記絶縁基板を搭載し、接着剤により前記絶縁ケースと接続される第1の導体と、一部が前記絶縁ケース内に配置され、前記パワー半導体チップの引き出し電極となる第2の導体と、前記絶縁ケース内において、前記第1の導体と前記第2の導体の間に配置される第3の導体と、を備え、前記第1の導体と前記第3の導体間の電位差は、前記第1の導体と前記第2の導体間の電位差よりも小さいことを特徴とする。【選択図】 図2A

請求項（抜粋）：

パワー半導体チップを収容する絶縁ケースと、 前記パワー半導体チップを搭載する絶縁基板と、 前記絶縁基板を搭載し、接着剤により前記絶縁ケースと接続される第1の導体と、 一部が前記絶縁ケース内に配置され、前記パワー半導体チップの引き出し電極となる第2の導体と、 前記絶縁ケース内において、前記第1の導体と前記第2の導体の間に配置される第3の導体と、を備え、 前記第1の導体と前記第3の導体間の電位差は、前記第1の導体と前記第2の導体間の電位差よりも小さいことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-139823   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-139823   出願人：三菱電機株式会社