半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-010427
公開番号（公開出願番号）：特開2018-101791
出願日： 2018年01月25日
公開日（公表日）： 2018年06月28日
要約：

【課題】ダイオードの逆方向電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、を有し、微結晶半導体膜は、ドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた微結晶半導体膜と、前記微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、前記非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、を有し、前記微結晶半導体膜は、ドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , G02F 1/136 , H01L 27/32 , H01L 51/50 , H05B 33/14

FI (10件)：

H01L29/78 618F , H01L29/78 618E , H01L29/78 618C , H01L27/06 102A , H01L27/088 B , H01L27/088 331E , G02F1/1368 , H01L27/32 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z

Fターム (122件)：

2H192AA24 , 2H192BA25 , 2H192BC24 , 2H192BC31 , 2H192CB05 , 2H192CB32 , 2H192CB35 , 2H192CB42 , 2H192CB45 , 2H192CB56 , 2H192CB83 , 2H192CC42 , 2H192CC72 , 2H192DA12 , 2H192DA42 , 2H192EA22 , 2H192EA43 , 2H192EA72 , 2H192EA74 , 2H192EA76 , 2H192FA65 , 2H192FA73 , 2H192FB27 , 2H192HA35 , 2H192JA13 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC32 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 5F048AA02 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AB10 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC03 , 5F048BD01 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048CC06 , 5F048CC11 , 5F048CC18 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE24 , 5F110EE36 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG07 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG55 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL01 , 5F110HL23 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM07 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (6件)

表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-028712 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-014050 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-196538

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審査官引用 (6件)

表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-028712 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-014050 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-196538

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