特許

J-GLOBAL ID：201803012792301162

イオンビーム加工装置およびイオンビーム加工方法

発明者： 三浦 勝哉 ,  武居 亜紀 ,  渡邉 敬司 ,  町田 俊太郎 ,  関口 知紀 ,  木下 勝治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-128589
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006063
出願日： 2016年06月29日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】加工対象に対応した正確な終点検出を可能にする技術を提供する。【解決手段】イオンビーム加工装置は、イオンビーム13aの走査によって対象物から発生する二次粒子を検出する荷電粒子検出器15と、この荷電粒子検出器15で検出した二次粒子によるSIM像において複数の加工箇所のSIM像の明度の時間変化を検出し、この明度に応じてイオンビーム13aによる加工条件を制御する制御装置20と、を備える。制御装置20は、SIM像上に配置した複数の加工領域に対して独立にSIM像の明度の時間変化を検出する検出処理部21aと、明度の閾値を設定する設定処理部21bと、対象物の加工中において、検出処理部21aで検出した加工領域の明度が、設定処理部21bで設定した閾値に相当した場合をそれぞれの加工領域の加工終点として、加工領域毎に加工を独立に終了する終了処理部21cと、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

イオンビームの走査によって対象物から発生する二次粒子を検出する検出器と、 前記検出器で検出した二次粒子による走査イオン顕微鏡像において複数の加工箇所の走査イオン顕微鏡像の明度の時間変化を検出し、前記明度に応じてイオンビームによる加工条件を制御する制御装置と、 を備える、イオンビーム加工装置。

IPC (4件)：

H01J 37/317 ,  H01J 37/304 ,  H01J 37/305 ,  H01J 37/28

FI (4件)：

H01J37/317 D ,  H01J37/304 ,  H01J37/305 A ,  H01J37/28 Z

Fターム (4件)：

5C033UU10 ,  5C034BB09 ,  5C034BB10 ,  5C034DD09