特許
J-GLOBAL ID：201803012940495079

周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法及び関連する半導体デバイス構造

発明者：
カティア・ヴァユリュネン

カティア・ヴァユリュネン について

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ミッコ・リタラ

ミッコ・リタラ について

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マルック・レスケラ

マルック・レスケラ について


出願人/特許権者：
アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ

アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ について


代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  山本 修 ,  宮前 徹 ,  中西 基晴 ,  松本 謙
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-024655
公開番号（公開出願番号）：特開2018-133569
出願日： 2018年02月15日
公開日（公表日）： 2018年08月23日
要約：
【課題】低抵抗率を示すだけでなく、共形に形成することもできる極めて薄い金属性膜を形成する方法を提供する。【解決手段】方法は、基材を、銅、ニッケル又はコバルトの少なくとも1つを含むハロゲン非含有金属前駆体を含む第1の反応物質と接触させることと、基材を炭化水素置換ヒドラジンを含む第2の反応物質と接触させることと、を含む。関連する半導体デバイス構造は、周期的堆積プロセスにより形成された金属性相互接続の少なくとも一部を含むことができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法であって、前記方法は、 前記基材を、銅、ニッケル又はコバルトの少なくとも1つを含むハロゲン非含有金属前駆体を含む第1の反応物質と接触させることと、 前記基材を、炭化水素置換ヒドラジン前駆体を含む第2の反応物質と接触させることと、を含む、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L21/285 C ,  H01L21/90 A
Fターム (33件)：
4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104DD07 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  4M104FF07 ,  4M104HH11 ,  4M104HH16 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ16 ,  5F033KK01 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR23 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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