特許
J-GLOBAL ID：201803012944221518

半導体装置およびその製造方法

発明者：
水田 新生

水田 新生 について

, 
木越 聖博

木越 聖博 について

, 
正木 貴章

正木 貴章 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 稔 ,  臼井 尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-121604
公開番号（公開出願番号）：特開2017-228559
出願日： 2016年06月20日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：
【課題】 小型化および実装性の向上を図った半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体素子11と、半導体素子11から離間して配置されるとともに、半導体素子11の厚さ方向Zに対して直角である方向を向く端子側面23を有する端子2と、半導体素子11を覆い、かつ半導体素子11の厚さ方向Zに対して直角である方向を向く樹脂側面43を有する封止樹脂4と、を備え、端子側面23は、封止樹脂4から露出し、端子2には、端子側面23を覆う端子導電層28が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と、 前記半導体素子から離間して配置されるとともに、前記半導体素子の厚さ方向に対して直角である方向を向く端子側面を有する端子と、 前記半導体素子を覆い、かつ前記半導体素子の厚さ方向に対して直角である方向を向く樹脂側面を有する封止樹脂と、を備える半導体装置であって、 前記端子側面は、前記樹脂側面から露出し、 前記端子には、前記端子側面を覆う端子導電層が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/50 ,  H01L 23/28
FI (5件)：
H01L23/12 L ,  H01L23/50 K ,  H01L23/50 R ,  H01L23/50 N ,  H01L23/28 A
Fターム (18件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109CA22 ,  4M109DA10 ,  4M109DB16 ,  4M109EA02 ,  4M109EB08 ,  4M109EB18 ,  4M109EE20 ,  5F067AA01 ,  5F067AA13 ,  5F067BC13 ,  5F067CA04 ,  5F067DC16 ,  5F067DC17 ,  5F067DC18 ,  5F067EA04
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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