特許
J-GLOBAL ID:201803013099950722
圧電構成素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, 森田 拓
, 前川 純一
, 二宮 浩康
, 上島 類
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-507543
公開番号(公開出願番号):特表2018-525829
出願日: 2016年06月16日
公開日(公表日): 2018年09月06日
要約:
本発明は、複数の圧電セラミック材料層(12)と電極層(14)とから成るスタック(18)として形成された圧電構成素子(10)に関し、スタック(18)は、長手方向軸線(16)に沿って少なくとも2つの第1の活性領域(36)を有しており、第1の活性領域(36)には、それぞれ第1の層厚さ(D1)を有する少なくとも2つの圧電セラミック材料層(12)が配置されており、さらにスタック(18)は、少なくとも2つの第2の活性領域(38)を有しており、第2の活性領域(38)には、それぞれ少なくとも第2の層厚さ(D2)を有する少なくとも2つの圧電セラミック材料層(12)が配置されている。第2の層厚さ(D2)は、長手方向軸線(16)に沿った第1の層厚さ(D1)よりも大きくなっている。
請求項(抜粋):
圧電構成素子(10)であって、複数の圧電セラミック材料層(12)と、複数の活性電極層(14)とを有しており、前記圧電セラミック材料層(12)と前記活性電極層(14)とは、長手方向軸線(16)に沿って交互に重なるように積層されて配置され、1つのスタック(18)を形成している、圧電構成素子において、
前記スタック(18)は、前記長手方向軸線(16)に沿って、それぞれ第1の層厚さ(D1)を有する少なくとも2つの圧電セラミック材料層(12)が配置された少なくとも2つの第1の活性領域(36)と、それぞれ少なくとも第2の層厚さ(D2)を有する少なくとも2つの圧電セラミック材料層(12)が配置された少なくとも2つの第2の活性領域(38)とを有しており、前記長手方向軸線(16)に沿った前記第2の層厚さ(D2)は、前記第1の層厚さ(D1)よりも大きくなっており、
前記第1の活性領域(36)と前記第2の活性領域(38)とは、前記長手方向軸線(16)に沿って交互に重なるように積層されて配置されている、圧電構成素子(10)。
IPC (3件):
H01L 41/083
, H01L 41/09
, F02M 51/06
FI (5件):
H01L41/083
, H01L41/09
, F02M51/06 N
, F02M51/06 U
, F02M51/06 S
Fターム (7件):
3G066AB02
, 3G066BA46
, 3G066BA54
, 3G066CC06U
, 3G066CD04
, 3G066CD18
, 3G066CE27
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