特許

J-GLOBAL ID：201803013232485981

半導体装置の製造方法

発明者： 若杉 幸宏 ,  副島 成雅 ,  竹内 有一
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-227095
公開番号（公開出願番号）：特開2018-085417
出願日： 2016年11月22日
公開日（公表日）： 2018年05月31日
要約：

【課題】SiC半導体基板の上面に、スピンコート法によってレジストを塗布し、その後にSiC半導体基板が高温に曝される際に、レジストにおいてクラックが発生することを防止することが可能な技術を提供する。【解決手段】本明細書は、半導体装置の製造方法を開示する。その製造方法は、SiC半導体基板の上面に、アクティブ領域と周辺領域を形成する工程であって、アクティブ領域はトレンチ構造を有しており、周辺領域はアクティブ領域を取り囲んでおり、周辺領域の少なくとも一部におけるSiC半導体基板の上面が、アクティブ領域におけるSiC半導体基板の上面よりも上方へ突出しているように、アクティブ領域と周辺領域を形成する工程と、SiC半導体基板の上面に、スピンコート法によりレジストを塗布する工程を備えている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

SiC半導体基板の上面に、アクティブ領域と周辺領域を形成する工程であって、アクティブ領域はトレンチ構造を有しており、周辺領域はアクティブ領域を取り囲んでおり、周辺領域の少なくとも一部におけるSiC半導体基板の上面が、アクティブ領域におけるSiC半導体基板の上面よりも上方へ突出しているように、アクティブ領域と周辺領域を形成する工程と、 SiC半導体基板の上面に、スピンコート法によりレジストを塗布する工程を備える、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L21/30 564C ,  G03F7/20 521 ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 653A

Fターム (8件)：

2H197DB24 ,  2H197HA03 ,  2H197JA12 ,  2H197JA15 ,  2H197JA30 ,  5F146HA04 ,  5F146JA09 ,  5F146JA22