特許

J-GLOBAL ID：201803013377599187

固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器

発明者： 山川 真弥
出願人/特許権者： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
代理人 (2件)： 西川 孝 ,  稲本 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-221188
公開番号（公開出願番号）：特開2018-081946
出願日： 2016年11月14日
公開日（公表日）： 2018年05月24日
要約：

【課題】より簡単なプロセスで、近赤外領域の感度を向上させる。【解決手段】固体撮像装置は、第1の光電変換部および第1のフローティングディフュージョンが形成された第1の半導体層と、第2の光電変換部および第2のフローティングディフュージョンが形成された第2の半導体層と、第1および第2のフローティングディフュージョンと電気的に接続される配線を含む配線層とを備える。第1の半導体層と第2の半導体層とは積層され、配線層は、第1または第2の半導体層の、それぞれが互いに対向する側とは反対側に形成される。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の光電変換部および第1のフローティングディフュージョンが形成された第1の半導体層と、 第2の光電変換部および第2のフローティングディフュージョンが形成された第2の半導体層と、 前記第1および第2のフローティングディフュージョンと電気的に接続される配線を含む配線層と を備え、 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは積層され、 前記配線層は、前記第1または前記第2の半導体層の、それぞれが互いに対向する側とは反対側に形成される 固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/374

FI (4件)：

H01L27/14 F ,  H01L27/14 A ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/335 740

Fターム (24件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA19 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  5C024AX01 ,  5C024AX06 ,  5C024BX04 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX21 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01