特許

J-GLOBAL ID：201803013698306971

太陽電池素子および太陽電池モジュール

発明者： 喜井 浩紀
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-129024
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006467
出願日： 2016年06月29日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】太陽電池素子の発電効率を向上させること。【解決手段】半導体基板2と、半導体基板上に配された表面層と、表面層上に配された電極4と、を備えている。半導体基板は、n型またはp型の不純物を有している。表面層は、半導体基板の一部に配された第1半導体層311と、半導体基板の他部に配された絶縁層312と、を有している。そして、第1半導体層は、半導体基板がn型の不純物を有する場合、半導体基板よりも大きい仕事関数を有しており、半導体基板がp型の不純物を有する場合、半導体基板よりも小さい仕事関数を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型またはp型の不純物を有する半導体基板と、 前記半導体基板の一部に配された第1半導体層、および前記半導体基板の他部に配された絶縁層を有している表面層と、 前記表面層上に配された電極と、を備え、 前記半導体基板がn型の前記不純物を有する場合、前記第1半導体層は、前記半導体基板よりも大きい仕事関数を有しており、 前記半導体基板がp型の前記不純物を有する場合、前記第1半導体層は、前記半導体基板よりも小さい仕事関数を有している、太陽電池素子。

IPC (1件)：

H01L 31/074

FI (1件)：

H01L31/06 440

Fターム (7件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151FA06 ,  5F151GA04 ,  5F151HA20