特許
J-GLOBAL ID：201803013837519497
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
正林 真之
, 林 一好
, 崎間 伸洋
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016051321
公開番号（公開出願番号）：WO2017-126018
出願日： 2016年01月18日
公開日（公表日）： 2017年07月27日
要約：
半導体装置は、誘導結合による通信用の第1の送受信コイルを備えた複数のメモリチップと、これら複数のメモリチップが積層された積層方向の一端に配置されて、誘導結合によって第1の送受信コイルと結合する第2の送受信コイルを複数のメモリチップ毎に備えたインターポーザとを有する。第1の送受信コイルおよび第2の送受信コイルのサイズは、メモリチップとインターポーザとの間の通信距離が大きいものほど大きい。第1の送受信コイルおよび第2の送受信コイルは、インターポーザとメモリチップとの間の通信でメモリチップのそれぞれに生じる誘導起電力が共通する所定範囲内の値となるように定められたサイズとすることができる。
請求項（抜粋）：
誘導結合による通信用の第1の送受信コイルを備えた複数のメモリチップと、
前記複数のメモリチップが積層された積層方向の一端に配置されて、誘導結合によって前記第1の送受信コイルと結合する第2の送受信コイルを前記複数のメモリチップ毎に備えたインターポーザとを有し、
前記第1の送受信コイルおよび前記第2の送受信コイルのサイズは、前記メモリチップと前記インターポーザとの間の通信距離が大きいものほど大きい半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H04B 5/02
5K012AA04
, 5K012AB03
, 5K012AC06
, 5K012AC07
, 5K012AC08
, 5K012AC10
