特許

J-GLOBAL ID：201803013993933902

酸化亜鉛系透明導電膜の作製方法

発明者： 山田 容士 ,  舩木 修平 ,  オルクツ サンシャコグル ,  杉浦 怜 ,  正力 幹也
出願人/特許権者： 国立大学法人島根大学
代理人 (1件)： 田邊 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-182449
公開番号（公開出願番号）：特開2018-044237
出願日： 2016年09月18日
公開日（公表日）： 2018年03月22日
要約：

【課題】マグネトロンスパッタリングにより、抵抗率の不均一性が小さく、低抵抗率であって、光透過性が高い、酸化亜鉛系透明導電膜を得ること。【解決手段】 マグネトロンスパッタリングにより基板上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成し、その上に亜鉛薄膜層を形成し、その上にマグネトロンスパッタリングにより酸化亜鉛系透明導電膜を更に形成して積層構造をなし、その後、400°C以上650°C以下の所定の温度にてアニーリングする工程を含ませることにより、高抵抗領域の偏在を抑制ないし解消することを特徴とする透明導電膜作製方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成し、 その上に亜鉛薄膜層を形成し、 その上に酸化亜鉛系透明導電膜を更に形成して積層構造をなし、 その後、400°C以上650°C以下の所定の温度にてアニーリングする工程を含ませることにより、高抵抗領域の偏在を抑制ないし解消することを特徴とする透明導電膜作製方法。

IPC (2件)：

C23C 14/08 ,  H01B 13/00

FI (3件)：

C23C14/08 C ,  C23C14/08 N ,  H01B13/00 503B

Fターム (13件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA46 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029DC39 ,  4K029GA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC01

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Chemical Physics Letters, 2012, Vol.528, pp.68-71