シリコン層をエッチングする方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 柏岡潤二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-256041
公開番号（公開出願番号）：特開2015-115443
特許番号：特許第6239365号
出願日： 2013年12月11日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン層及び該シリコン層上に設けられたマスクを有する被処理体の表面に形成された酸化膜を除去して、該シリコン層をエッチングする方法であって、前記被処理体を収容した処理容器内において、水素、窒素、及びフッ素を含有する第1の処理ガスのプラズマを生成し、前記酸化膜を変質させて、変質領域を形成する工程と、前記処理容器内で希ガスのプラズマを生成して、前記変質領域を除去する工程と、前記処理容器内において第2の処理ガスのプラズマを生成して、前記シリコン層をエッチングする工程と、を含む方法。

IPC (1件)：