特許
J-GLOBAL ID：201803014120204951
ボロフェンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 茂樹
, 小池 勇三
, 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-136034
公開番号（公開出願番号）：特開2018-002572
出願日： 2016年07月08日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】コストを抑制してより迅速にボロフェンが形成できるようにする。【解決手段】ステップS101で、金属層の一方の面にホウ素を含むホウ素含有物質層を形成し、ステップS102で、ホウ素含有物質を形成した金属層を加熱してホウ素含有物質層のホウ素を金属層中に拡散させ、ステップS203金属層中に拡散させたホウ素を金属層の他方の面に結晶化させてボロフェンを形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属層の一方の面にホウ素を含むホウ素含有物質層を形成する第1工程と、
前記ホウ素含有物質を形成した前記金属層を加熱して前記ホウ素含有物質層のホウ素を前記金属層中に拡散させる第2工程と、
前記金属層中に拡散させたホウ素を前記金属層の他方の面に結晶化させてボロフェンを形成する第3工程と
を備え、
前記第2工程および前記第3工程は、ホウ素が酸化しない雰囲気で実施することを特徴とするボロフェンの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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