特許

J-GLOBAL ID：201803014133875294

炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置

発明者： 伊東 洋典 ,  土井 秀之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016072624
公開番号（公開出願番号）：WO2017-051611
出願日： 2016年08月02日
公開日（公表日）： 2017年03月30日
要約：

本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法は以下の工程を備えている。反応室内に、直径100mm以上の炭化珪素単結晶基板が配置される。炭素を含み加熱分解された状態の第1ガスと、珪素を含む第2ガスと、窒素を含む第3ガスとを混合することによって混合ガスが生成される。混合ガスが反応室に導入される。反応室内で混合ガスを加熱することにより、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素層が形成される。

請求項（抜粋）：

反応室内に、直径100mm以上の炭化珪素単結晶基板を配置する工程と、 炭素を含み加熱分解された状態の第1ガスと、珪素を含む第2ガスと、窒素を含む第3ガスとを混合することによって混合ガスを生成する工程と、 前記混合ガスを前記反応室内に導入する工程と、 前記反応室内で前記混合ガスを加熱することにより、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素層を形成する工程と、を備える、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/452

FI (5件)：

H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  C30B25/14 ,  C23C16/42 ,  C23C16/452

Fターム (43件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077EC01 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC01 ,  4G077TH01 ,  4G077TH06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AF02 ,  5F045BB04 ,  5F045CA05 ,  5F045CA06 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045EE07 ,  5F045EK02 ,  5F045EM10