特許

J-GLOBAL ID：201803014188412153

複合基板、電子装置および電子モジュール

発明者： 小西 芳紀 ,  堀之内 直樹
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-126713
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006377
出願日： 2016年06月27日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】 放熱性の高い電子モジュールの製作が容易な複合基板等を提供すること。【解決手段】 上面および下面を有する絶縁基板1と、絶縁基板1の上面に接合された第1金属板2と、絶縁基板1の下面に接合されており、第1金属板2よりも厚い第2金属板3とからなる積層体9を備えており、積層体9が、平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部9aを有している複合基板10等である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

上面および下面を有する絶縁基板と、 該絶縁基板の上面に接合された第1金属板と、 前記絶縁基板の下面に接合されており、前記第1金属板よりも厚い第2金属板とからなる積層体を備えており、 該積層体が、平面視における中央部と外周部との間の中間部において上方向に湾曲した凸部を有している複合基板。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/40

FI (5件)：

H01L23/12 F ,  H01L23/12 C ,  H01L23/12 J ,  H01L23/36 C ,  H01L23/40 F

Fターム (7件)：

5F136BB04 ,  5F136EA13 ,  5F136FA03 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA17 ,  5F136FA18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化珪素配線基板および半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-195576   出願人：日立金属株式会社
• パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-216802   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体装置、半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-255991   出願人：三菱電機株式会社
• セラミックス基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-241698   出願人：京セラ株式会社