特許

J-GLOBAL ID：201803014244910951

不揮発性記憶素子

発明者： 宮田 典幸
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016074797
公開番号（公開出願番号）：WO2017-068859
出願日： 2016年08月25日
公開日（公表日）： 2017年04月27日
要約：

従来のMOS型シリコンデバイスの構造及び構成元素に大幅な変更を加えることなく製造が可能であり、絶縁膜/半導体界面の電気特性を劣化させることなく、かつ、新たな動作原理に基づき不揮発記憶素子を実現する。不揮発性記憶素子10は、金属電極16、二種類の絶縁膜13、15、と絶縁膜12/半導体11の界面構造で構成されるキャパシタにおいて、絶縁膜13/絶縁膜15界面に単分子層程度のO-M1-O層14を設けたMIS構造である。不揮発性記憶素子10は、O-M1-O層14近傍に誘起される界面ダイポールの強度又は極性をゲート電極からの電気的刺激で変化させることで不揮発性の情報記憶動作を実現する。

請求項（抜粋）：

半導体又は金属上に積層されたキャパシタ構造を備え、 前記キャパシタ構造は、異なる二つの絶縁膜の接合界面に、前記絶縁膜を構成する元素以外の金属元素(M1)と酸素(O)とが化学結合された単分子層程度のO-M1-O層を備え、 外部電気刺激によって前記O-M1-O層近傍に誘起される界面ダイポールの強度又は極性を変化させることで情報を記憶する、不揮発性記憶素子。

IPC (5件)：

H01L 27/10 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/11507

Fターム (14件)：

5F083AD14 ,  5F083AD60 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA16 ,  5F083JA38 ,  5F101BA61 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07