半導体装置及び計測機器

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：中島淳 , 加藤和詳 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-002211
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093212
出願日： 2018年01月10日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：

【課題】小型化すると共に、配線抵抗を低減した半導体装置及び計測機器を提供する。【解決手段】半導体装置は、リードフレームと、リードフレームの第1領域に搭載された発振子と、リードフレームの第1領域とは異なる第2領域に搭載された集積回路と、発振子の第1端子と集積回路の第2端子とを接続する複数本の第1ボンディングワイヤと、を有する。リードフレームは、第1領域及び第2領域を含む搭載部の周囲に形成され、第2端子と複数本の第2ボンディングワイヤで接続される複数の第3端子を含んで構成されている。第1ボンディングワイヤの頂点は第2ボンディングワイヤの頂点よりも低く、かつ、第2ボンディングワイヤは第1ボンディングワイヤを跨いでいる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

リードフレームと、前記リードフレームの第1領域に搭載された発振子と、前記リードフレームの前記第1領域とは異なる第2領域に搭載された集積回路と、前記発振子の第1端子と前記集積回路の第2端子とを接続する複数本の第1ボンディングワイヤと、を有し、前記リードフレームは、前記第1領域及び前記第2領域を含む搭載部の周囲に形成され、前記第2端子と複数本の第2ボンディングワイヤで接続される複数の第3端子を含んで構成され、前記第1ボンディングワイヤの頂点は前記第2ボンディングワイヤの頂点よりも低く、かつ、前記第2ボンディングワイヤは前記第1ボンディングワイヤを跨いでいる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/50 , H03B 5/32 , H01L 21/60

FI (4件)：

H01L23/50 S , H03B5/32 H , H03B5/32 A , H01L21/60 301B

Fターム (18件)：

5F044AA01 , 5F044GG07 , 5F067AB03 , 5F067CD10 , 5F067DF17 , 5J079AA04 , 5J079BA02 , 5J079BA43 , 5J079BA44 , 5J079CB01 , 5J079DA25 , 5J079FB35 , 5J079FB39 , 5J079HA05 , 5J079HA07 , 5J079HA22 , 5J079HA25 , 5J079HA27

引用特許：

出願人引用 (6件)

特許第6276338号
圧電デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-256016 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-121046 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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審査官引用 (8件)

特許第6276338号
特許第6276338号
圧電デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-256016 出願人：セイコーエプソン株式会社

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