特許

J-GLOBAL ID：201803014354209540

MOSトランジスタを利用した高抵抗回路

発明者： 溝田 崇 ,  辻 信昭 ,  小野 秀和
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (2件)： 鮫島 睦 ,  吉田 環
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-215996
公開番号（公開出願番号）：特開2015-080086
特許番号：特許第6221614号
出願日： 2013年10月17日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1端子と第2端子との間に抵抗素子として接続される抵抗回路であって、 バルクに接続されるソース端子が互いに接続され、ドレイン端子が前記第1および第2端子の各々に接続される第1および第2MOSトランジスタと、 ドレイン端子およびゲート端子が、前記第1および第2MOSトランジスタのゲート端子に接続され、ソース端子がバルクに接続される第3MOSトランジスタと、 ドレイン端子およびゲート端子が、前記第3MOSトランジスタのソース端子に接続される第4MOSトランジスタと、 ゲート端子が、前記第1および第2MOSトランジスタのソース端子に接続され、ソース端子が、前記第4MOSトランジスタのソース端子に接続される第5MOSトランジスタと、 前記第3MOSトランジスタのドレイン端子に接続される第1電流源とを備えることを特徴とする抵抗回路。

IPC (3件)：

H03F 1/34 ( 200 6.01) ,  H03F 1/32 ( 200 6.01) ,  H03F 3/345 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H03F 1/34 ,  H03F 1/32 ,  H03F 3/345 B