特許
J-GLOBAL ID：201803014424144017
配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-197486
公開番号（公開出願番号）：特開2018-060918
出願日： 2016年10月05日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：
【課題】搭載される部品の電極との接続をより良好に行うことが可能な、より平坦度が高い配線基板を提供すること。【解決手段】配線基板の製造方法は、基板にベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成ステップST1と、ベース絶縁層の表面を平坦化する表裏平坦化ステップST2と、ベース絶縁層に金属薄膜を被覆する薄膜被覆ステップST3と、ベース絶縁層に積層したフォトレジスト層に溝を形成する溝形成ステップST4と、溝に金属を充填する金属充填ステップST5と、フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去ステップST7と、露出した金属薄膜を除去する金属薄膜除去ステップST8と、回路パターン間に絶縁部材を充填して回路パターン層を形成する回路パターン層形成ステップST9と、回路パターン層の絶縁部材の表面を平坦化する回路パターン層平坦化ステップST10とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
表裏面に再配線層を備える配線基板の製造方法であって、
コアとなる基板の表裏面に樹脂のベース絶縁層を形成するベース絶縁層形成ステップと、
表裏面の該ベース絶縁層の表面をバイト工具又は研削砥石で削り平坦化する表裏平坦化ステップと、
平坦化した表裏面の該ベース絶縁層の表面に金属薄膜を被覆する薄膜被覆ステップと、
該金属薄膜を介して該ベース絶縁層にフォトレジスト層を積層し、フォトエッチングによって該フォトレジスト層に回路パターンとなる溝を形成し、溝底で該金属薄膜を露出させる溝形成ステップと、
該金属薄膜を電極として、該回路パターンとなる該溝にめっき処理で金属を充填する金属充填ステップと、
該ベース絶縁層の上面から該金属の該回路パターンを残して該フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去ステップと、
該フォトレジスト層除去ステップを実施した後、露出した該金属薄膜を該ベース絶縁層から除去する金属薄膜除去ステップと、
該金属薄膜除去ステップを実施した後、該回路パターンの隙間に樹脂の絶縁部材を充填し、隣接する該回路パターンが絶縁された回路パターン層を形成する回路パターン層形成ステップと、
該回路パターン層の該絶縁部材の表面をバイト工具で削り平坦化する回路パターン層平坦化ステップと、を備え、
該表裏平坦化ステップ及び該回路パターン層平坦化ステップにより平坦な配線基板を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5E316AA26
, 5E316AA32
, 5E316CC08
, 5E316CC09
, 5E316CC16
, 5E316CC32
, 5E316DD15
, 5E316DD17
, 5E316DD24
, 5E316EE33
, 5E316EE35
, 5E316GG17
, 5E316GG28
, 5E316GG40
, 5E316HH07
, 5E316HH40
