特許

J-GLOBAL ID：201803014611184758

ガラス基板上の集積回路(ICS)

発明者： シチュン・グ ,  デイク・ダニエル・キム ,  マシュー・マイケル・ノワク ,  ジョンヘ・キム ,  チャンハン・ホビー・ユン ,  ジェ-シュン・ジェフリー・ラン ,  デイヴィッド・フランシス・バーディ
出願人/特許権者： クアルコム,インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-514350
公開番号（公開出願番号）：特表2018-532267
出願日： 2016年07月29日
公開日（公表日）： 2018年11月01日
要約：

集積回路(IC)は、ガラス基板上の第1の半導体デバイスを含む。第1の半導体デバイスは、バルクシリコンウェハの第1の半導体領域を含む。ICは、ガラス基板上の第2の半導体デバイスを含む。第2の半導体デバイスは、バルクシリコンウェハの第2の半導体領域を含む。ICは、第1の半導体領域と第2の半導体領域との間に基板貫通トレンチを含む。基板貫通トレンチは、バルクシリコンウェハの表面を超えて配設される部分を含む。

請求項（抜粋）：

集積回路(IC)を製作する方法であって、 第1の半導体デバイスおよび第2の半導体デバイスを製作するステップであって、前記第1の半導体デバイスが、半導体層の第1の部分の半導体材料によって接続される第1のソース領域および第1のドレイン領域を有し、前記第2の半導体デバイスが、半導体層の第2の部分の半導体材料によって接続される第2のソース領域および第2のドレイン領域を有する、ステップと、 前記半導体層の前記第1の部分が前記半導体層の前記第2の部分から不連続になるように、前記半導体層の部分を除去するステップと、 ガラス基板を前記第1の半導体デバイスおよび前記第2の半導体デバイスに結合するステップとを備える、方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (4件)：

H01L29/78 627D ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L21/88 J

Fターム (30件)：

5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM17 ,  5F033MM30 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX24 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110DD02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19