特許
J-GLOBAL ID：201803014633804245
ガスセルの製造方法、磁気計測装置の製造方法、およびガスセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
渡辺 和昭
, 西田 圭介
, 仲井 智至
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-131380
公開番号（公開出願番号）：特開2018-004430
出願日： 2016年07月01日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】セルの内壁に形成するコーティング材の膜を所望の膜厚で安定的に形成でき、高精度で計測可能なガスセルの製造方法および磁気計測装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガスセル10の製造方法は、主室14と、主室14と連通するリザーバー16と、リザーバー16に設けられた開口18と、を有するセル12のリザーバー16にコーティング材32を含む保持部材30を配置する配置工程と、前記開口を封止部材で封止して前記セルを密封する封止工程と、保持部材30を加熱してセル12内でコーティング材32の蒸気を発生させる加熱工程と、セル12を冷却してセル12の内壁にコーティング材32を成膜する成膜工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
第1室と、前記第1室と連通する第2室と、前記第2室に設けられた開口と、を有するセルの前記第2室にコーティング材を含む保持部材を配置する配置工程と、
前記開口を封止部材で封止して前記セルを密封する封止工程と、
前記保持部材を加熱して、前記セル内で前記コーティング材の蒸気を発生させる加熱工程と、
前記セルを冷却して、前記セルの内壁に前記コーティング材を成膜する成膜工程と、
を含むことを特徴とするガスセルの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
前のページに戻る
