特許
J-GLOBAL ID:201803014719895936
半導体装置、および表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-089131
公開番号(公開出願番号):特開2018-190753
出願日: 2017年04月28日
公開日(公表日): 2018年11月29日
要約:
【課題】電気特性の良好な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体層108近傍の絶縁膜、具体的には、半導体層108の上方に形成される絶縁層110が、過剰酸素を含有する構成である。絶縁層110から半導体層108へ酸素または過剰酸素を移動させることで、半導体層108中の酸素欠損を低減することが可能となる。なお、半導体層108の下方に位置する絶縁層104が、過剰酸素を含有していてもよい。このとき、絶縁層104からも半導体層108へ過剰酸素を移動させることで、半導体層108の酸素欠損をより低減することが可能となる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体層と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、第1の導電層と、を有する半導体装置であって、
前記第1の導電層は、前記半導体層上に位置し、
前記第1の絶縁層は、前記第1の導電層と前記半導体層との間に位置し、
前記第1の絶縁層と前記第1の導電層とは、上面形状が概略一致し、
前記第2の絶縁層は、前記第1の絶縁層の側面、前記第1の導電層の側面の一部、及び前記半導体層の上面の一部に接して設けられ、
前記半導体層は、前記第1の導電層と重なる第1の部分と、前記第1の部分を挟み、且つ前記第2の絶縁層と重なる一対の第2の部分と、前記第1の部分及び一対の前記第2の部分を挟み、且つ前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層のいずれにも重ならない一対の第3の部分と、を有し、
前記半導体層は、金属酸化物を含み、
前記第1の絶縁層は、酸素を含み、
前記第2の絶縁層は、アルミニウムまたはハフニウムと、酸素と、を含む、
半導体装置。
IPC (7件):
H01L 21/336
, H01L 29/786
, G02F 1/136
, H01L 27/32
, H01L 51/50
, H05B 33/14
, G09F 9/30
FI (14件):
H01L29/78 617J
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616A
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 617U
, H01L29/78 617T
, H01L29/78 617N
, H01L29/78 619A
, G02F1/1368
, H01L27/32
, H05B33/14 A
, H05B33/14 Z
, G09F9/30 338
, G09F9/30 365
Fターム (130件):
2H192AA24
, 2H192BB12
, 2H192BC31
, 2H192BC72
, 2H192CB02
, 2H192CB08
, 2H192CB37
, 2H192CB42
, 2H192CB53
, 2H192CB56
, 2H192CB83
, 2H192CC32
, 2H192DA12
, 2H192EA22
, 2H192EA43
, 2H192EA67
, 2H192EA74
, 2H192FB03
, 2H192FB05
, 2H192FB33
, 2H192FB46
, 2H192GB33
, 2H192HA13
, 2H192HA23
, 2H192HA36
, 2H192HA70
, 2H192HA82
, 2H192HA84
, 2H192HA90
, 2H192JA06
, 2H192JA13
, 2H192JA17
, 2H192JA24
, 2H192JA25
, 2H192JA32
, 2H192JA53
, 2H192JA62
, 2H192JA64
, 3K107AA01
, 3K107AA05
, 3K107BB01
, 3K107CC41
, 3K107EE04
, 5C094AA21
, 5C094AA31
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094DA13
, 5C094FA04
, 5C094FB14
, 5C094FB15
, 5C094JA08
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110CC01
, 5F110DD01
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, 5F110HJ30
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, 5F110HL07
, 5F110HL08
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN22
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, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN40
, 5F110NN73
, 5F110QQ09
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
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